Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4153DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6287
Rodo à Medida26AK3559RL
Segmento de fita26AK3559
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Seu número de peça
1,509 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.319 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 1.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.290 |
| 10+ | $ 0.808 |
| 25+ | $ 0.716 |
| 50+ | $ 0.623 |
| 100+ | $ 0.531 |
| 250+ | $ 0.472 |
| 500+ | $ 0.412 |
| 1000+ | $ 0.374 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.319 |
| 5000+ | $ 0.306 |
| 10000+ | $ 0.293 |
| 15000+ | $ 0.278 |
| 25000+ | $ 0.261 |
Se você quiser uma quantidade menor, pode selecionar outro tipo de embalagem
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4153DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6287
Rodo à Medida26AK3559RL
Segmento de fita26AK3559
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19.3A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation5.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
19.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
