Imprimir página
SI4126DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 39 A, 0.00275 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4126DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo16P3727
Rodo à Medida18X0010RL
Segmento de fita18X0010
Seu número de peça
2,230 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.350 | $ 3.35 |
| Total Preço | $ 3.35 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.350 |
| 50+ | $ 2.190 |
| 100+ | $ 1.520 |
| 250+ | $ 1.380 |
| 500+ | $ 1.230 |
| 1000+ | $ 1.210 |
| 2500+ | $ 1.130 |
| 5000+ | $ 1.110 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.550 |
| 7500+ | $ 1.520 |
| 12500+ | $ 1.490 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4126DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo16P3727
Rodo à Medida18X0010RL
Segmento de fita18X0010
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source On State Resistance0.00275ohm
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd7.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.00275ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Power Dissipation Pd
7.8W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4126DY-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto