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SI3932DV-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3932DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3877
Rodo à Medida01AC4992RL
Segmento de fita01AC4992
Gama de produtosTrenchFET Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.000 | $ 5.00 |
| Total Preço | $ 5.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.000 |
| 50+ | $ 0.561 |
| 100+ | $ 0.406 |
| 250+ | $ 0.360 |
| 500+ | $ 0.313 |
| 1000+ | $ 0.282 |
| 2500+ | $ 0.266 |
| 5000+ | $ 0.249 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.264 |
| 5000+ | $ 0.258 |
| 10000+ | $ 0.239 |
| 20000+ | $ 0.222 |
| 30000+ | $ 0.207 |
| 50000+ | $ 0.198 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3932DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3877
Rodo à Medida01AC4992RL
Segmento de fita01AC4992
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id3.7A
Continuous Drain Current Id N Channel3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.047ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.047ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- Dual N-channel 30V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- Used in load switch for portable applications, DC/DC converters
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.047ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.047ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3932DV-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto