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SI3590DV-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3590DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida35R6220
Segmento de fita35R6220
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.590 | $ 1,770.00 |
| Total Preço | $ 1,770.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.590 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3590DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida35R6220
Segmento de fita35R6220
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.062ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.062ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low conduction losses
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.062ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.062ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI3590DV-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto