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SI3552DV-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 85 mohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3552DV-T1-E3Cópia
Código Newark06J7623
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3552DV-T1-E3Cópia
Código Newark06J7623
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel85mohm
Drain Source On State Resistance P Channel85mohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.15W
Power Dissipation P Channel1.15W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
85mohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.15W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
85mohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.15W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidade do produto