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SI3477DV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3477DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark86R3876
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 36 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.325 |
| 9000+ | $ 0.289 |
| 15000+ | $ 0.283 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 975.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3477DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark86R3876
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd4.2W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Power Dissipation Pd
4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3477DV-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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