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SI3474DV-T1-GE3
MOSFET, N CH, 100V, 3.8A, TSOP-6
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3474DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark40X8698
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.762 |
| 10+ | $ 0.472 |
| 25+ | $ 0.416 |
| 50+ | $ 0.359 |
| 100+ | $ 0.304 |
| 500+ | $ 0.231 |
| 1000+ | $ 0.207 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3474DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark40X8698
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
On Resistance Rds(on)0.102ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation3.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation Pd
3.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
On Resistance Rds(on)
0.102ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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