Imprimir página
SI3460DDV-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3460DDV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3874
Rodo à Medida87W5913RL
Segmento de fita87W5913
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.344 | $ 0.34 |
| Total Preço | $ 0.34 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.344 |
| 25+ | $ 0.214 |
| 50+ | $ 0.179 |
| 100+ | $ 0.144 |
| 250+ | $ 0.139 |
| 500+ | $ 0.134 |
| 1000+ | $ 0.122 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.232 |
| 5000+ | $ 0.221 |
| 10000+ | $ 0.199 |
| 20000+ | $ 0.182 |
| 30000+ | $ 0.171 |
| 50000+ | $ 0.159 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3460DDV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3874
Rodo à Medida87W5913RL
Segmento de fita87W5913
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7.9A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI3460DDV-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, boost converter and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.9A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3460DDV-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto