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SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 4A, 150DEG C, 2.7W
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.536 | $ 2.68 |
| Total Preço | $ 2.68 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.536 |
| 10+ | $ 0.332 |
| 25+ | $ 0.291 |
| 50+ | $ 0.250 |
| 100+ | $ 0.210 |
| 250+ | $ 0.184 |
| 500+ | $ 0.158 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.145 |
| 10000+ | $ 0.130 |
| 20000+ | $ 0.119 |
| 30000+ | $ 0.112 |
| 50000+ | $ 0.104 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3443DDV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo96X2712
Rodo à Medida75AH9201RL
Segmento de fita75AH9201
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation2.7W
Power Dissipation Pd2.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.7W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3443DDV-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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