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SI3437DV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3437DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rolo completo15R4928
Segmento de fita09X6426
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 9 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.477 | $ 1,431.00 |
| Total Preço | $ 1,431.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.477 |
| 6000+ | $ 0.475 |
| 9000+ | $ 0.463 |
| 15000+ | $ 0.460 |
| 30000+ | $ 0.457 |
| 75000+ | $ 0.448 |
| 150000+ | $ 0.439 |
| 300000+ | $ 0.430 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.354 |
| 9000+ | $ 0.340 |
| 15000+ | $ 0.333 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3437DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rolo completo15R4928
Segmento de fita09X6426
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.61ohm
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3.2W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation3.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.61ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.2W
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3437DV-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto