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SI3429EDV-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 8A, TSOP
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.745 | $ 3.72 |
| Total Preço | $ 3.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.745 |
| 10+ | $ 0.463 |
| 15+ | $ 0.422 |
| 25+ | $ 0.381 |
| 50+ | $ 0.339 |
| 125+ | $ 0.298 |
| 250+ | $ 0.262 |
| 500+ | $ 0.226 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3429EDV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0434RL
Segmento de fita57AJ0434
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
On Resistance Rds(on)0.0175ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation4.2W
Power Dissipation Pd4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
4.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.0175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3429EDV-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto