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SI3417DV-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 8A, TSOP
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.696 | $ 3.48 |
| Total Preço | $ 3.48 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.696 |
| 15+ | $ 0.430 |
| 25+ | $ 0.421 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3417DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0432RL
Segmento de fita57AJ0432
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd4.2W
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
4.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3417DV-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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