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SI3127DV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3127DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante62 semanas
Código Newark
Rolo completo96X2711
Rodo à Medida75AH9200RL
Segmento de fita75AH9200
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.160 | $ 1.16 |
| Total Preço | $ 1.16 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.160 |
| 10+ | $ 0.827 |
| 25+ | $ 0.722 |
| 50+ | $ 0.619 |
| 100+ | $ 0.515 |
| 250+ | $ 0.435 |
| 500+ | $ 0.355 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.229 |
| 10000+ | $ 0.215 |
| 20000+ | $ 0.204 |
| 30000+ | $ 0.193 |
| 50000+ | $ 0.187 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3127DV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante62 semanas
Código Newark
Rolo completo96X2711
Rodo à Medida75AH9200RL
Segmento de fita75AH9200
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id5.1A
On Resistance Rds(on)0.074ohm
Drain Source On State Resistance0.074ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation4.2W
Power Dissipation Pd4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.074ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3127DV-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto