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SI2399DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2399DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo01AM0551
Rodo à Medida64T4058RL
Segmento de fita64T4058
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.804 | $ 0.80 |
| Total Preço | $ 0.80 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.804 |
| 50+ | $ 0.364 |
| 100+ | $ 0.320 |
| 250+ | $ 0.282 |
| 500+ | $ 0.244 |
| 1000+ | $ 0.237 |
| 2500+ | $ 0.229 |
| 5000+ | $ 0.221 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.220 |
| 9000+ | $ 0.215 |
| 15000+ | $ 0.199 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2399DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo01AM0551
Rodo à Medida64T4058RL
Segmento de fita64T4058
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI2399DS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI2399DS-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto