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SI2377EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2377EDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3873
Rodo à Medida05W6937RL
Segmento de fita05W6937
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,949 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.775 | $ 0.78 |
| Total Preço | $ 0.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.775 |
| 50+ | $ 0.496 |
| 100+ | $ 0.337 |
| 250+ | $ 0.323 |
| 500+ | $ 0.309 |
| 1000+ | $ 0.295 |
| 2500+ | $ 0.282 |
| 5000+ | $ 0.268 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.218 |
| 9000+ | $ 0.214 |
| 15000+ | $ 0.209 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2377EDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3873
Rodo à Medida05W6937RL
Segmento de fita05W6937
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI2377EDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 100% Rg tested
- 2000V ESD performance
- Built in ESD protection with Zener diode
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Power Management, Portable Devices
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2377EDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto