Imprimir página
SI2374DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 5.9 A, 30 mohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2374DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6499RL
Segmento de fita70AC6499
Seu número de peça
2,400 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.248 | $ 0.25 |
| Total Preço | $ 0.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.248 |
| 25+ | $ 0.162 |
| 50+ | $ 0.134 |
| 100+ | $ 0.106 |
| 250+ | $ 0.104 |
| 500+ | $ 0.102 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2374DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6499RL
Segmento de fita70AC6499
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.9A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Descrição geral do produto
The SI2374DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for load switches and power management applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2374DS-T1-GE3
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto