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SI2374DS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 5.9A, SOT-23
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.544 | $ 2.72 |
| Total Preço | $ 2.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.544 |
| 15+ | $ 0.351 |
| 25+ | $ 0.344 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.178 |
| 9000+ | $ 0.167 |
| 15000+ | $ 0.146 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2374DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo05AC9485
Rodo à Medida01AC4984RL
Segmento de fita01AC4984
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd1.7W
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2374DS-T1-GE3
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto