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SI2369BDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2369BDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark42AJ0583
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.656 |
| 10+ | $ 0.453 |
| 25+ | $ 0.384 |
| 50+ | $ 0.313 |
| 100+ | $ 0.269 |
| 500+ | $ 0.233 |
| 1000+ | $ 0.200 |
| 2500+ | $ 0.185 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.66
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2369BDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark42AJ0583
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI2369BDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos