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SI2365EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2365EDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6497RL
Segmento de fita70AC6497
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154 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.587 | $ 0.59 |
| Total Preço | $ 0.59 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.587 |
| 25+ | $ 0.414 |
| 50+ | $ 0.340 |
| 100+ | $ 0.265 |
| 250+ | $ 0.222 |
| 500+ | $ 0.179 |
| 1000+ | $ 0.144 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2365EDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6497RL
Segmento de fita70AC6497
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.9A
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Suitable for power management applications for portable and consumer i.e load switches and DC/DC converters
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Built-in ESD Protection - Typical ESD Performance 3000V
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2365EDS-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto