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SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -20V, -5.9A, SOT-23
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.108 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.520 |
| 15+ | $ 0.334 |
| 25+ | $ 0.327 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.108 |
| 9000+ | $ 0.093 |
| 15000+ | $ 0.088 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2365EDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo05AC9484
Rodo à Medida01AC4983RL
Segmento de fita01AC4983
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.9A
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
Power Dissipation Pd1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2365EDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos