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SI2356DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2356DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida05AC7747
Segmento de fita05AC7747
Seu número de peça
5,775 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.722 | $ 0.72 |
| Total Preço | $ 0.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.722 |
| 25+ | $ 0.452 |
| 50+ | $ 0.376 |
| 100+ | $ 0.300 |
| 250+ | $ 0.267 |
| 500+ | $ 0.233 |
| 1000+ | $ 0.208 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2356DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida05AC7747
Segmento de fita05AC7747
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.051ohm
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The SI2356DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for DC / DC converter, load switches, LED backlighting and power management applications.
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2356DS-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto