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SI2342DS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 8V, 6A, SOT-23
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.110 | $ 5.55 |
| Total Preço | $ 5.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.110 |
| 25+ | $ 0.718 |
| 50+ | $ 0.606 |
| 100+ | $ 0.493 |
| 250+ | $ 0.445 |
| 500+ | $ 0.396 |
| 1000+ | $ 0.365 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.183 |
| 6000+ | $ 0.175 |
| 12000+ | $ 0.168 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2342DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo05AC9481
Rodo à Medida01AC4980
Segmento de fita01AC4980
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2342DS-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto