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SI2333CDS-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 7.1 A, 0.0285 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2333CDS-T1-GE3.Cópia
Código Newark16AC0253
Seu número de peça
Disponível para encomenda
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.313 |
| 5000+ | $ 0.306 |
| 10000+ | $ 0.283 |
| 20000+ | $ 0.264 |
| 30000+ | $ 0.246 |
| 50000+ | $ 0.235 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 939.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2333CDS-T1-GE3.Cópia
Código Newark16AC0253
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id7.1A
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.1A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI2333CDS-T1-GE3.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto