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SI2333CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 7.1 A, 35 mohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2333CDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0526
Segmento de fita16P3712
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 1 | $ 0.335 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.34 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.852 |
| 25+ | $ 0.764 |
| 50+ | $ 0.696 |
| 100+ | $ 0.616 |
| 250+ | $ 0.548 |
| 500+ | $ 0.470 |
| 1000+ | $ 0.413 |
| 2500+ | $ 0.327 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.335 |
| 5000+ | $ 0.327 |
| 10000+ | $ 0.303 |
| 20000+ | $ 0.282 |
| 30000+ | $ 0.263 |
| 50000+ | $ 0.251 |
Se você quiser uma quantidade menor, pode selecionar outro tipo de embalagem
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2333CDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0526
Segmento de fita16P3712
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id7.1A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.1A
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2333CDS-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto