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SI2329DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 6 A, 30 mohm, TO-236, Surface Mount
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2329DS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark63W4143
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- 8V, 6A P-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Low on-resistance
- Suitable for load switch and low voltage gate drive
- Also used in battery management in portable equipment
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI2329DS-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto