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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2325DS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo73W9409
Rodo à Medida43K8583
Segmento de fita43K8583
Seu número de peça
10,092 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.780 | $ 1.78 |
| Total Preço | $ 1.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.780 |
| 25+ | $ 1.180 |
| 50+ | $ 1.000 |
| 100+ | $ 0.829 |
| 250+ | $ 0.755 |
| 500+ | $ 0.680 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.456 |
| 4000+ | $ 0.409 |
| 6000+ | $ 0.395 |
| 10000+ | $ 0.386 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2325DS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo73W9409
Rodo à Medida43K8583
Segmento de fita43K8583
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id690mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.3ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd750mW
Rds(on) Test Voltage6V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI2325DS-T1-E3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.
- Ultra-low ON-resistance
- Small size
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
6V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
690mA
On Resistance Rds(on)
1.3ohm
Power Dissipation Pd
750mW
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2325DS-T1-E3
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
