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SI2319DS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2319DS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo85W0177
Rodo à Medida06J7581RL
Segmento de fita06J7581
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.220 | $ 1.22 |
| Total Preço | $ 1.22 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.220 |
| 25+ | $ 0.883 |
| 50+ | $ 0.756 |
| 100+ | $ 0.629 |
| 250+ | $ 0.572 |
| 500+ | $ 0.514 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.284 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2319DS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo85W0177
Rodo à Medida06J7581RL
Segmento de fita06J7581
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.082ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd750mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleTO-236
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para SI2319DS-T1-E3
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The SI2319DS-T1-E3 is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Power Dissipation Pd
750mW
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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