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SI2312CDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2312CDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3868
Rodo à Medida87W5911RL
Segmento de fita87W5911
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.725 | $ 0.72 |
| Total Preço | $ 0.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.725 |
| 50+ | $ 0.326 |
| 100+ | $ 0.286 |
| 250+ | $ 0.252 |
| 500+ | $ 0.217 |
| 1000+ | $ 0.213 |
| 2500+ | $ 0.208 |
| 5000+ | $ 0.204 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.250 |
| 9000+ | $ 0.238 |
| 15000+ | $ 0.214 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2312CDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3868
Rodo à Medida87W5911RL
Segmento de fita87W5911
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Drain Source On State Resistance0.0318ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
The SI2312CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch for portable applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
Aplicações
Power Management, Portable Devices
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.0318ohm
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2312CDS-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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