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SI2312BDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2312BDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo85W0175
Rodo à Medida51K6950RL
Segmento de fita51K6950
Seu número de peça
18 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.712 | $ 0.71 |
| Total Preço | $ 0.71 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.712 |
| 25+ | $ 0.645 |
| 50+ | $ 0.593 |
| 100+ | $ 0.533 |
| 250+ | $ 0.481 |
| 500+ | $ 0.422 |
| 1000+ | $ 0.378 |
| 2500+ | $ 0.313 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.228 |
| 6000+ | $ 0.219 |
| 12000+ | $ 0.205 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2312BDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo85W0175
Rodo à Medida51K6950RL
Segmento de fita51K6950
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd750mW
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Alternativas para SI2312BDS-T1-E3
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The SI2312BDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
750mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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