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SI2309CDS-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2309CDS-T1-GE3.Cópia
Código Newark28AC2125
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Entrega estimada após a confirmação do pedido.Ser-lhe-á feita a cobrança aquando do envio.
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.235 |
| 6000+ | $ 0.224 |
| 12000+ | $ 0.214 |
| 18000+ | $ 0.210 |
| 30000+ | $ 0.208 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 705.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2309CDS-T1-GE3.Cópia
Código Newark28AC2125
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.285ohm
On Resistance Rds(on)0.285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
On Resistance Rds(on)
0.285ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI2309CDS-T1-GE3.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto