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SI2308BDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2308BDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo71T8044
Rodo à Medida16P3708RL
Segmento de fita16P3708
Seu número de peça
16,126 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.556 | $ 0.56 |
| Total Preço | $ 0.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.556 |
| 50+ | $ 0.465 |
| 100+ | $ 0.418 |
| 250+ | $ 0.378 |
| 500+ | $ 0.332 |
| 1000+ | $ 0.299 |
| 2500+ | $ 0.249 |
| 5000+ | $ 0.241 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.191 |
| 9000+ | $ 0.186 |
| 15000+ | $ 0.172 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2308BDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo71T8044
Rodo à Medida16P3708RL
Segmento de fita16P3708
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.09W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation1.09W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±20V Gate-source voltage
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Power Dissipation Pd
1.09W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.09W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI2308BDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto