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SI2308BDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2308BDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo33P5172
Rodo à Medida69W7187RL
Segmento de fita69W7187
Seu número de peça
52,453 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.783 | $ 0.78 |
| Total Preço | $ 0.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.783 |
| 25+ | $ 0.466 |
| 50+ | $ 0.393 |
| 100+ | $ 0.320 |
| 250+ | $ 0.293 |
| 500+ | $ 0.265 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.249 |
| 5000+ | $ 0.244 |
| 10000+ | $ 0.230 |
| 20000+ | $ 0.218 |
| 30000+ | $ 0.207 |
| 50000+ | $ 0.200 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2308BDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo33P5172
Rodo à Medida69W7187RL
Segmento de fita69W7187
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.66W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI2308BDS-T1-E3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for battery switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto