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SI2306BDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.16 A, 0.047 ohm, TO-236, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2306BDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo51K6949
Rodo à Medida65K1920RL
Segmento de fita65K1920
Seu número de peça
2,959 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.906 | $ 0.91 |
| Total Preço | $ 0.91 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.906 |
| 25+ | $ 0.567 |
| 50+ | $ 0.468 |
| 100+ | $ 0.368 |
| 250+ | $ 0.325 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.302 |
| 5000+ | $ 0.297 |
| 10000+ | $ 0.279 |
| 20000+ | $ 0.265 |
| 30000+ | $ 0.251 |
| 50000+ | $ 0.243 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2306BDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo51K6949
Rodo à Medida65K1920RL
Segmento de fita65K1920
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.16A
Drain Source On State Resistance0.047ohm
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI2306BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.16A
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI2306BDS-T1-E3
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
