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SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2302DDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark40X8696
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|---|---|
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2302DDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark40X8696
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd710mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
710mW
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI2302DDS-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos