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SI2302CDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2302CDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo15R4900
Rodo à Medida69W7186RL
Segmento de fita69W7186
Seu número de peça
7,411 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.731 | $ 0.73 |
| Total Preço | $ 0.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.731 |
| 25+ | $ 0.450 |
| 50+ | $ 0.370 |
| 100+ | $ 0.288 |
| 250+ | $ 0.253 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.246 |
| 5000+ | $ 0.242 |
| 10000+ | $ 0.228 |
| 20000+ | $ 0.216 |
| 30000+ | $ 0.205 |
| 50000+ | $ 0.198 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2302CDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo15R4900
Rodo à Medida69W7186RL
Segmento de fita69W7186
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd710mW
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI2302CDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management, Portable Devices
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
710mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2302CDS-T1-E3
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto