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SI2301CDS-T1-E3
MOSFET, P CH, -20V, -3.1A, SOT-23
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2301CDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark97W2628
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.633 |
| 10+ | $ 0.394 |
| 100+ | $ 0.253 |
| 500+ | $ 0.192 |
| 1000+ | $ 0.170 |
| 2500+ | $ 0.144 |
| 10000+ | $ 0.128 |
| 25000+ | $ 0.122 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2301CDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark97W2628
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.112ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Power Dissipation Pd1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2301CDS-T1-E3
4 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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