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SI2301CDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2301CDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo33P5163
Rodo à Medida69W7185RL
Segmento de fita69W7185
Seu número de peça
2,748 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.745 | $ 0.74 |
| Total Preço | $ 0.74 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.745 |
| 50+ | $ 0.463 |
| 100+ | $ 0.298 |
| 250+ | $ 0.274 |
| 500+ | $ 0.208 |
| 1000+ | $ 0.187 |
| 2500+ | $ 0.183 |
| 5000+ | $ 0.180 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.182 |
| 9000+ | $ 0.178 |
| 15000+ | $ 0.165 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2301CDS-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo33P5163
Rodo à Medida69W7185RL
Segmento de fita69W7185
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Power Dissipation Pd1.6W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
Si2301CDS-T1-E3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch.
- TrenchFET® Power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -20V min (VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to 1V (VDS = VGS, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is - 3.1A (TJ = 150 °C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -10A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -1.3A (TC = 25°C, TA = 25°C)
- Maximum power dissipation is 1.6W (TC = 25°C, TA = 25°C)
- VDS temperature coefficient is -18mV/°C typ (ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 9.5S typ (VDS = - 5V, ID = - 2.8A, TJ = 25°C)
- SOT-23 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2301CDS-T1-E3
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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