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SI2301CDS-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2301CDS-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark42AJ0549
Gama de produtosTrenchFET Series
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a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.568 |
| 10+ | $ 0.350 |
| 100+ | $ 0.224 |
| 500+ | $ 0.170 |
| 1000+ | $ 0.152 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.57
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2301CDS-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark42AJ0549
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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