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SI1967DH-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.64 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1967DH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3863
Rodo à Medida69W7182RL
Segmento de fita69W7182
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.744 | $ 0.74 |
| Total Preço | $ 0.74 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.744 |
| 50+ | $ 0.476 |
| 100+ | $ 0.323 |
| 250+ | $ 0.291 |
| 500+ | $ 0.258 |
| 1000+ | $ 0.236 |
| 2500+ | $ 0.223 |
| 5000+ | $ 0.209 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.207 |
| 5000+ | $ 0.196 |
| 10000+ | $ 0.171 |
| 20000+ | $ 0.152 |
| 30000+ | $ 0.140 |
| 50000+ | $ 0.128 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1967DH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3863
Rodo à Medida69W7182RL
Segmento de fita69W7182
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.64ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.64ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.64ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.64ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto