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SI1967DH-T1-BE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 1.3 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1967DH-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo07AJ1640
Rodo à Medida36AJ8061RL
Segmento de fita36AJ8061
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
1,774 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.696 | $ 0.70 |
| Total Preço | $ 0.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.696 |
| 50+ | $ 0.429 |
| 100+ | $ 0.275 |
| 250+ | $ 0.242 |
| 500+ | $ 0.209 |
| 1000+ | $ 0.187 |
| 2500+ | $ 0.173 |
| 5000+ | $ 0.159 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.189 |
| 5000+ | $ 0.179 |
| 10000+ | $ 0.156 |
| 20000+ | $ 0.139 |
| 30000+ | $ 0.128 |
| 50000+ | $ 0.117 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1967DH-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo07AJ1640
Rodo à Medida36AJ8061RL
Segmento de fita36AJ8061
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.39ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.39ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id
1.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto