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SI1553CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1553CDL-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6491RL
Segmento de fita70AC6491
Seu número de peça
9,530 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.740 | $ 0.74 |
| Total Preço | $ 0.74 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.740 |
| 50+ | $ 0.476 |
| 100+ | $ 0.321 |
| 250+ | $ 0.288 |
| 500+ | $ 0.255 |
| 1000+ | $ 0.233 |
| 2500+ | $ 0.219 |
| 5000+ | $ 0.205 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1553CDL-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6491RL
Segmento de fita70AC6491
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.325ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.325ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel340mW
Power Dissipation P Channel340mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jan-2020)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
700mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.325ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
340mW
Qualification
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.325ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (16-Jan-2020)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI1553CDL-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (16-Jan-2020)
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Certificado de conformidade do produto