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SI1480DH-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 2.6A, SOT-363
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1480DH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark19X1958
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.676 |
| 10+ | $ 0.459 |
| 100+ | $ 0.307 |
| 500+ | $ 0.227 |
| 1000+ | $ 0.197 |
| 2500+ | $ 0.178 |
| 10000+ | $ 0.159 |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1480DH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark19X1958
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.161ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd2.8W
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.161ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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