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SI1427EDH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1427EDH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo65T1683
Rodo à Medida70AC6488
Segmento de fita70AC6488
Seu número de peça
2,980 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.659 | $ 0.66 |
| Total Preço | $ 0.66 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.659 |
| 25+ | $ 0.409 |
| 50+ | $ 0.336 |
| 100+ | $ 0.262 |
| 250+ | $ 0.230 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.203 |
| 5000+ | $ 0.194 |
| 10000+ | $ 0.174 |
| 20000+ | $ 0.159 |
| 30000+ | $ 0.150 |
| 50000+ | $ 0.139 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1427EDH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo65T1683
Rodo à Medida70AC6488
Segmento de fita70AC6488
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.8W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI1427EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 2000V ESD performance
- Built in ESD protection with Zener diode
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Power Management, Portable Devices
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Power Dissipation Pd
2.8W
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI1427EDH-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto