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SI1401EDH-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4 A, 0.028 ohm, SC-70, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1401EDH-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo07AJ1619
Rodo à Medida36AJ8051RL
Segmento de fita36AJ8051
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
1,970 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.731 | $ 0.73 |
| Total Preço | $ 0.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.731 |
| 25+ | $ 0.450 |
| 50+ | $ 0.370 |
| 100+ | $ 0.289 |
| 250+ | $ 0.255 |
| 500+ | $ 0.220 |
| 1000+ | $ 0.198 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.207 |
| 5000+ | $ 0.196 |
| 10000+ | $ 0.171 |
| 20000+ | $ 0.152 |
| 30000+ | $ 0.140 |
| 50000+ | $ 0.128 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1401EDH-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo07AJ1619
Rodo à Medida36AJ8051RL
Segmento de fita36AJ8051
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.8W
Power Dissipation Pd2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto