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SI1317DL-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.4 A, 150 mohm, SOT-323, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1317DL-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6487RL
Segmento de fita70AC6487
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.517 | $ 0.52 |
| Total Preço | $ 0.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.517 |
| 50+ | $ 0.232 |
| 100+ | $ 0.204 |
| 250+ | $ 0.179 |
| 500+ | $ 0.154 |
| 1000+ | $ 0.151 |
| 2500+ | $ 0.148 |
| 5000+ | $ 0.145 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1317DL-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AC6487RL
Segmento de fita70AC6487
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance150mohm
On Resistance Rds(on)0.125ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Transistor Case StyleSOT-323
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
The SI1317DL-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -50 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
- 100% Rg tested
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
150mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-323
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
0.125ohm
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI1317DL-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto