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SI1317DL-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SC-70, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1317DL-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo07AJ1617
Rodo à Medida36AJ8050RL
Segmento de fita36AJ8050
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,883 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.608 | $ 0.61 |
| Total Preço | $ 0.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.608 |
| 50+ | $ 0.375 |
| 100+ | $ 0.240 |
| 250+ | $ 0.211 |
| 500+ | $ 0.181 |
| 1000+ | $ 0.163 |
| 2500+ | $ 0.149 |
| 5000+ | $ 0.135 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.138 |
| 9000+ | $ 0.119 |
| 15000+ | $ 0.117 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1317DL-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rolo completo07AJ1617
Rodo à Medida36AJ8050RL
Segmento de fita36AJ8050
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
On Resistance Rds(on)0.125ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto