Imprimir página
SI1079X-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 1.44A, SC-89
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1079X-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AK5817RL
Segmento de fita26AK5817
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
3,569 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.745 | $ 0.74 |
| Total Preço | $ 0.74 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.745 |
| 50+ | $ 0.336 |
| 100+ | $ 0.296 |
| 250+ | $ 0.261 |
| 500+ | $ 0.227 |
| 1000+ | $ 0.226 |
| 2500+ | $ 0.225 |
| 5000+ | $ 0.224 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1079X-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AK5817RL
Segmento de fita26AK5817
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.44A
On Resistance Rds(on)0.083ohm
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation330mW
Power Dissipation Pd330mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.083ohm
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
330mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.44A
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI1079X-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto