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SI1062X-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 0.53A, SC-89
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.392 | $ 1.96 |
| Total Preço | $ 1.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.392 |
| 15+ | $ 0.239 |
| 25+ | $ 0.234 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.082 |
| 9000+ | $ 0.080 |
| 15000+ | $ 0.079 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1062X-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo05AC9477
Rodo à Medida01AC4976RL
Segmento de fita01AC4976
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id530mA
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Drain Source On State Resistance0.42ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd220mW
Power Dissipation220mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
220mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
530mA
Drain Source On State Resistance
0.42ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI1062X-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto