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SI1024X-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 485 mA, 0.7 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1024X-T1-GE3Cópia
Código Newark
Rolo completo29X0509
Rodo à Medida49AM1980RL
Segmento de fita49AM1980
Seu número de peça
Já não é fabricado
Opções de embalagem
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1024X-T1-GE3Cópia
Código Newark
Rolo completo29X0509
Rodo à Medida49AM1980RL
Segmento de fita49AM1980
Ficha técnica
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel485mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
485mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto