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MXP120A250SE-T1GE3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, TO-263
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteMXP120A250SE-T1GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark16AN4144
Gama de produtosMaxSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.530 |
| 10+ | $ 4.820 |
| 25+ | $ 4.240 |
| 50+ | $ 3.990 |
| 100+ | $ 3.490 |
| 250+ | $ 2.960 |
| 500+ | $ 2.870 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.53
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteMXP120A250SE-T1GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark16AN4144
Gama de produtosMaxSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.313ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation85W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.313ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
85W
Product Range
MaxSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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